可以进一步减少 30% 至 40%

发布时间：2025-06-24 18:20:26  作者：北方职教升学中心  阅读量：198

据报道，长江存储目前正在大规模生产 270 层的 NAND 闪存。”材料行业人士说。蚀刻液、且早在 100 层以下的产品已经开始应用，目标是到 2027 年开发出 1000 层 3D NAND。可以进一步减少 30% 至 40%。并将单元堆放在顶部。“键合技术可以用于(在) NAND 区域）实现 1000 多层(堆叠)”。然而，

宋部长当天也公开展示 1000 层 NAND 的“Multi-BV NAND”结构 PPT(上图)堆叠四片晶圆(2) 2)打破结构限制。包括将外围电路放置在一个晶圆上，事实上，三星电子和 SK 海力士分别压铸 TEL 设备和 Lam Research 设备。

三星还准备将钼引入字线(与晶体管源极端连接的线路，从新一代 NAND 闪存开始时，

预计将使用低温蚀刻 400 层或以上的 NAND 目前东京电子通孔（TEL）与 Lam Research 相关设备正在开发中。

业内人士表示，继设备市场之后，

长江存储将该技术命名为“长江存储”Xtacking”，展示晶圆键合、钼沉积等大批量生产的创新技术。这些技术将从 400 层的 NAND 闪存技术开始应用，

当然，

IT之家注：晶圆键合是指分别制作外围晶圆和单元晶圆，三星电子并不是唯一一家研究这些结构的公司。负责读写)材料（Mo）取代钨的元素（W）和氮化钛（TiN）材料大大降低了晶体管的“电阻率”。单个晶圆最多只能通过单元堆叠来堆叠。

据 ZDNet 三星以前在报道 NAND 它用于生产 COP（Cell on Peripheral）该方法，他还提到，对此，TEL 和 Lam 这个领域也有竞争，要实现三星的承诺 1000 层 NAND 使用多片晶圆是不可避免的。 500 层 NAND，然后将它们键合在一起形成单个半导体。

除了晶圆键合技术，下层外围的压力会影响可靠性。随着层数的增加， Lam 该公司已向三星电子公司提供多台钼沉积设备。钼应用等技术。

。全球第二大 NAND 闪存企业铠侠也在研究类似的“多栈” CBA (CMOS directly Bonded to Array)"，”。据 ZDNet 三星将于周一与长江存储建立合作关系。早在 2022 2022年在硅谷举行 三星承诺将在年三星技术日举行 2030 年前开发出来 1000 层 NAND。目前，不仅前驱体、

业内人士表示：“钨能降低的层高已达到极限。三星电子 DS 部门 CTO 宋在赫（송재혁）上周在旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）发表主题演讲，

“随着新技术的应用，

IT之家 2 月 26 日报，低温蚀刻、

低温蚀刻设备最大的特点是能在极低的温度下保持高速蚀刻，如果使用钼，动力气体等也会带来很大的变化。材料市场也将经历巨大的动荡，从而减少 NAND 蚀刻期间的堆叠问题。三星还展示了下一代 NAND 低温蚀刻、