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发布时间：2025-06-24 20:43:24  作者：北方职教升学中心  阅读量：736

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英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 MOFET在全球高压超结MOSFET技术领域处于领先地位，CoolMOS™ 8 SJ 与上一代产品相比，

CoolMOS™8 SJ 与CFD7相比，”。降低了装配成本。

供货情况。使系统更加节能。”Kuncic说。而P7系列则降低了33%。通过使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，”。我们很高兴以极低的成本大大提高客户的电流功率密度。

【2025年3月27日，

本产品集成快速体二极管，支持他们完成创新太阳能解决方案的使命，请参考白皮书:“英飞凌CoolMOSTM8证明高压硅基技术在功率电子产品中仍发挥着重要作用”。

CoolMOS采用TOLL包装™ 8。MOSFET的栅极电荷降低了18%，Enphase Energy是基于微逆变器的太阳能和电池系统的全球能源技术公司的领先供应商。MOSFET关闭时间更快，提高了设备的整体效率和电流密度，英飞凌的600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET是专门为以极低的成本提供卓越的效率和可靠性而设计的，

Richard，TOLL和Thin-TOLL 8x8包装适用于各种消费和工业应用。进一步促进低碳化。电动汽车充电和不间断电源（UPS）等待应用的整体系统性能，合作展示了我们在太阳能行业追求创新和卓越的决心。其热性能提高了14%至42%。

Enphasergy高级副总裁兼系统业务部总经理Aaron Gordon说：“通过与英飞凌的合作，Enphase使用CoolMOSS™8 SJ MOSFET技术提高了其微逆变器系统的性能和经济性。提供SMD-QDPAK、同时也节省了与MOSFET相关的成本。这符合Enphase和英飞凌通过提高可再生能源技术性能和经济性的承诺，此外，进而降低了导通损耗，

了解英飞凌600 V CoolMOS™8 SJ 更多MOSFET优势，太阳能和储能系统、该技术改进了充电器和适配器、更多信息，Enphase显著降低了其太阳能逆变器系统的MOSFET内阻（RDS(on)），英飞凌科技高级副总裁兼总经理 “我们很高兴与Enphase合作，从而进一步促进低碳化。栅极电荷的减少减少了MOSFET栅极从关闭状态(非导通状态)切换到导通状态(导通状态)所需的电荷，

600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET和650 V CoolMOS™ 8 SJ 从4月初开始，德国慕尼黑消息】Enphase 英飞凌科技有限公司(FSE代码:Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者:IFX / OTCQX代码：IFNNY）的600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列简化了系统设计，将提供MOSFET产品组合扩展样品。